|
Лашкарьов
|
|
Народився в м. Києві. Закінчив у 1924 р. Київський вищий інститут народної освіти (так називався тоді Київський університет). У 1924-1927 рр. - аспірант, викладач Київської науково-дослідної кафедри фізики ВУАН. Брав участь у створенні Інституту фізики ВУАН (пізніше - АН УРСР). 1925 разом з В.П. Лінником розробив оригінальний метод визначення коефіцієнта заломлення рентгенівських променів. На запрошення академіка А.Ф. Йоффе з 1930 по 1935 р. керував лабораторією Ленінградського фізико-технічного інституту. У 1931 р. очолив відділ рентгенівської і електронної оптики, 1933 р. - лабораторію дифракції електронів. Одержав піонерські результати про розподіл у кристалах електронної густини, які узагальнив у монографії "Дифракция электронов". 1935 за ці дослідження присуджено вчений ступінь доктора фіз.-мат. наук без захисту дисертації. З Ленінграда був висланий до м. Архангельська, де завідував кафедрою фізики медичного інституту. З 1939 р. наукова і педагогічна діяльність пов'язана з фізикою напівпровідників, АН України та Київським університетом: у 1939-1960 рр. - керівник відділу напівпровідників Інституту фізики АН України, у 1960-1970 рр. - директор створеного на його базі Інституту напівпровідників, у 1945 р. обраний академіком АН України, у 1946-48 рр. - голова відділу АН України, у 1944-1952 рр. - завідувач кафедри загальної фізики Київського університету, у 1952 р. створює першу в СРСР кафедру фізики напівпровідників, яку очолює до 1956 р. Лашкарьовим В.Є. отримано принципові для фізики напівпровідників результати. Запропоновано метод термозонду, за допомогою якого у 1941 р. виявлено p-n - перехід у випрямлячах на закису міді, у 1946 р. виявлено біполярну дифузію і дрейф електронів і дірок. Ним побудована загальна теорія фото-ЕРС у напівпровідниках (1948 р.), відкрита інфрачервона люмінесценція закису міді, надлінійна фотопровідність сурм'янистого кадмію, виявлена об'ємна фото-ЕРС у германії (1956 р.) У 1948 р. розпочато піонерські дослідження поверхневих явищ у напівпровідниках. Вивчено зміну поверхневої провідності і контактної різниці потенціалів при адсорбції на поверхні молекул газів. Виведене співвідношення, що зв'язує їх з поверхневим вигином зон і зарядом. У зв'язку з розвитком напівпровідникової електроніки у 1950 р. в Інституті напівпровідників і на кафедрі фізики напівпровідників університету під його керівництвом почалися дослідження властивостей германію - у той час одного з основних матеріалів електроніки. У 1948-1970 роках ним і його співробітниками було виконано фундаментальні і багатогранні дослідження фотоелектричних явищ у напівпровідниках: механізмів генерації і рекомбінації носіїв заряду, фотолюмінесценції, взаємодії напівпровідників із потоками іонізуючих частинок. Удосконалено створені раніше сірчано-срібні елементи, розроблено фоторезистор на основі сульфіду, а також селеніду кадмію і створено (1954 р.) перші в країні монокристалічні резистори. Засновник (1956 р.) і головний редактор "Українського фізичного журналу". Основні праці: Исследование запирающих слоев методом термозонда //Известия АН СССР. Сер.физ., 1941. Т.5; Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди // Известия АН СССР. Сер.физ., 1941.Т. 5 (у співав.). Помер Вадим Євгенович 1 грудня 1974 р. У 1981 році удостоєний Державної премії УРСР (посмертно). Джерело: Радіофізичний факультет: 55 років : довідник (з мультимедійним компакт-диском) / КНУТШ ; [ за ред. Григорука В.І., Нечипорука О.Ю. ]. - Київ : Лабораторія радіофізичного факультету Київського національного університету ім. Тараса Шевченка, 2007. - 270 с. |
